等离子处理晶圆表面清洗光刻胶

典型应用

• 光刻胶干灰化

• 图案化后的Descum

• 清洁晶圆上的有机污染物

• 增加 MEMS 器件的表面亲水性

• 提高引线键合步骤的键合强度

干式光刻胶灰化、剥离和除渣使用氧等离子体产生自由基氧物质，从而化学去除硅晶片上的光刻胶层。氧等离子灰化的副产品是无毒的。它比湿法蚀刻工艺更环保。等离子体内的高能电子可以分解氧分子并产生活性氧原子。然后，氧自由基可以氧化光刻胶并产生高蒸气压副产物 CO、CO2 和 H2O。添加少量的 CF4 或 SF6 气体可以显着提高光刻胶的蚀刻速率，因为高反应性氟原子可以提高从光刻胶聚合物中提取氢的速率。

使用氧等离子体进行光刻胶灰化

光刻胶除渣是光刻胶图案化和显影后的一种额外温和的光刻胶蚀刻工艺。它用于去除残留在显影区域上的残留光刻胶浮渣。这种残留物可以防止随后的干法或湿法蚀刻步骤，并影响整个晶片的蚀刻速率的均匀性。Descum step还可以改善光刻胶掩模的侧壁轮廓并提高工艺均匀性。

构图显影后抗残留

对于在硅或石英晶片上制造的 MEMS 器件，晶片表面的有机污染物会增加水接触角并使表面疏水。氧等离子处理可以很容易地去除有机污染物并使表面亲水。在引线键合步骤之前去除焊盘上的有机污染物也很重要。

氧等离子清洗可以去除晶圆表面的有机污染物，增加表面润湿性